Партнёрки
Вот где можно заработать в интернете:
· Контекстные ПП:


· Ссылочные биржи:



· Заметки:


· Статейные партнёрки:


· Тизерные партнёрки:


· Продажа текстов:

· Заработок на файлах:



· Остальные ПП:









Главная » Статьи » ctj |
Особенности использования транзисторов в
При конструировании, ремонте и эксплуатации сотовой аппаратуры следует принимать во внимание ее специфические особенности. Высокая надежность бытовой электроники может быть обеспечена только при учете таких факторов, как разброс характеристик транзисторов, их температурная нестабильность и зависимость параметров от режима работы, а также изменение характеристик транзисторов в процессе эксплуатации. Электронные приборы сохраняют свои параметры в установленных пределах в условиях эксплуатации и хранения, характерных для разных видов и классов аппаратуры. Условия эксплуатации техники могут изменяться в больших пределах. Данные условия характеризуются внешними механическими нагрузками и климатическими воздействиями (атмосферными и др.). Общие условия, справедливые для всех биполярных транзисторов, предназначенных для использования в аппаратуре определенного класса, есть в общих технических условиях. Нормы на значения электрических характеристик и специфические требования, относящиеся к конкретному виду транзистора, есть в частных технических условиях. Для удобства разработки и ремонта основные параметры транзисторов и их цоколевка собраны в справочнике. К преимуществам Интернет справочника надо отнести его общедоступность, пополняемость, мгновенный поиск нужного транзистора по маркировке и аналогу. Под воздействием различных факторов окружающей среды некоторые параметры транзисторов и свойства могут изменяться. Для герметичной защиты транзисторных структур от внешних факторов служат корпуса приборов. Конструктивное оформление биполярных транзисторов рассчитано на их применение в составе аппаратуры при любых допустимых условиях эксплуатации. Надо запомнить, что корпуса транзисторов, в конечном счете, имеют ограничение по герметичности. Поэтому при использовании полупроводниковых приборов в аппаратуре, предназначенной для эксплуатации в условиях повышенной влажности, платы с расположенными на них электронными элементами рекомендуется покрывать лаком не менее чем в три слоя. Все большее распространение находят так называемые бескорпусные транзисторы, предназначенные для использования в микросхемах и микросборках. Кристаллы таких элементов защищены специальным покрытием, но оно не дает хорошей защиты от воздействия окружающей среды. Защита увеличивается общей герметизацией всей микросхемы. Чтобы обеспечить долголетнюю и безотказную работу радиоаппаратуры, конструктор обязан не только учесть характерные особенности транзисторов на этапе разработки аппаратуры, но и обеспечить нужные условия ее эксплуатации и хранения. Транзисторы - элементы универсального применения. Они могут быть без нареканий использованы не только в классе устройств, для которых они разработаны, но и во многих других приборах. Но набор параметров и характеристик, находящихся в Интернет справочнике, соответствует первоочередному назначению транзистора. В справочнике приводятся значения параметров транзисторов, гарантируемые техническими условиями для соответствующих оптимальных или предельных режимов работы. Рабочий режим трехполюсника в проектируемом блоке часто отличается от того режима, для которого приводятся параметры в ТУ. Значения большинства характеристик транзисторов зависят от реального режима и температуры, причем с увеличением температуры зависимость параметров от режима сказывается более сильно. В справочнике даны, как правило, типовые (усредненные) зависимости параметров транзисторов от тока, напряжения, температуры, частоты и т. п. Данные зависимости могут использоваться при выборе типа транзистора и ориентировочных расчетах, так как значения характеристик трехполюсников одного типа не одинаковы, а находятся в некотором диапазоне. Данный диапазон ограничивается минимальным или максимальным значением, указанным в справочнике. Некоторые параметры имеют двустороннее ограничение. При разработке устройств необходимо стремиться обеспечить их работоспособность в возможно более широких интервалах изменений важнейших параметров транзисторов. Разброс параметров транзисторов и их изменение во времени при ремонте могут быть учтены расчетными методами или экспериментально — методом граничных испытаний. Полевые транзисторы с управляющим р-n переходом функционируют в режиме обеднения канала носителями заряда (независимо от типа его проводимости) при изменении напряжения затвор - исток от нулевого значения до напряжения отсечки тока стока. В отличие от трехполюсников с управляющим р-n переходом, у которых функциональная область составляет от Uзи = 0 до потенциала запирания, МДП-транзисторы имеют высокое входное сопротивление при любых значениях напряжения на затворе, которое ограничено напряжением пробоя изолятора затвора. Статьи похожие на - "Особенности использования транзисторов в" Источник: http://ucoz | |
Просмотров: 852 | Рейтинг: 0.0/0 |
Всего комментариев: 0 | |